Press release

2015. 03. 08. (일) 부터 보도해 주시기 바랍니다.

*이 보도자료는 미래창조과학부에서 배포됐습니다. 

그래핀을 능가하는 이차원 구조체 세계 최초 개발

최적화된 실리콘 반도체보다 100배 뛰어난 점멸비(107) 확인

국내 연구진이 꿈의 소재라 불리는 그래핀을 능가하는 새로운 2차원 구조체(C2N-h2D crystal)를 합성하여, 에너지 및 반도체 소재의 한계극복 및 생물학 분야까지 응용될 수 있을 것으로 기대된다.

원소수준의 구조분석과 반도체 성능평가를 통해 최적화된 실리콘 반도체의 전기적 반응속도(on/off ratio)보다 100배 뛰어남을 밝혔다.

on/off ratio : 반도체 소자에 흐르는 전류량의 비. 점멸비가 높을수록 반도체에 흐르는 전류의 양을 효과적으로 제어할 수 있어서 우수한 성능의 반도체 구현 가능 

UNIST 백종범 교수(에너지/화학공학부)와 신형준 교수(신소재공학부), 박노정 교수(자연과학부) 및 포항공대의 오준학 교수(화학공학부) 공동 연구팀이 주관한 이번 연구는 미래창조과학부(장관 최양희)에서 추진하는 중견 및 리더연구자지원사업으로 수행되었고, 세계적인 자연과학분야 권위지인 네이처 커뮤니케이션(Nature Communications) 3월 6일자에 게재되었다.

논문명 : Nitrogenated Holey Two-Dimensional Structures

현재 반도체 재료로 사용되고 있는 실리콘은 공정이 미세해질수록 성능의 한계에 부딪혀왔으며, 이를 보완하기 위해 비슷한 성질을 지니는 탄소기반 물질들이 주목을 받기 시작하였다. 그 중 그래핀은 뛰어난 고유성질로 실리콘을 대체할 물질로 각광을 받아왔다.

그래핀은 현존하는 물질 가운데 열과 전기가 가장 잘 통하지만, 띠 간격(band gap)이 없는 금속 같은 도체이기 때문에 전류의 흐름을 통제할 수 없어 반도체로 응용하는 데에는 한계가 있었다.

그래핀을 반도체 소자로 이용하려면 띠 간격을 넓혀 전류 흐름을 신속히 통제할 수 있어야 하는데, 이러한 성능은 점멸비(on/off ratio)라는 전기적 반응속도로 확인 가능하며, 점멸비가 높을수록 전류 흐름을 통제하는 능력이 우수한 것이다.

띠 간격(band gap): 전자가 존재할 수 없는 영역. 물질에 띠 간격이 없으면 금속성을 지니며, 띠 간격이 매우 넓으면 전류가 통하지 않는 절연체의 성질을 지님. 반도체 소자는 띠 간격이 적절히 있어야 전류가 흐르는 것을 통제할 수 있음.

백종범 교수 연구진은 화학적 합성을 통하여 그래핀과 달리 일정한 구멍이 존재하며 탄소와 질소가 일정한 비율로 존재하는 새로운 2차원 구조체(C2N-h2D crystal)를 개발하였다(그림 4).

연구진이 개발한 새로운 2차원 구조체를 주사터널링현미경으로 확인한 결과 그래핀과는 달리 띠 간격이 존재하였으며, 반도체의 성능 연구 결과 새로운 이차원 구조체는 점멸비가 107으로 이미 최적화된 실리콘 반도체보다 100배나 우수한 것으로 나타났다.

주사터널링현미경(STM): 전자의 앙자역학적 터널링의 원리를 이용하여 물질 표면의 원자 수준까지 이미지를 얻을 수 있는 장비.

백종범 교수는“꿈의 물질로 불리는 그래핀의 한계를 넘는 새로운 물질로 그래핀보다 훨씬 많은 응용분야(그림 5)가 예상되어 꿈이 현실로 나타날 만한 성과로 여겨진다.”고 연구의의를 밝혔다.

자료문의

미래창조과학부: 기최연구진흥과 최도영 과장, 오판동 사무관 (02)2110-2372

UNIST 에너지 및 화학공학부: 백종범 교수 (052)217-2510

  • 백종범 교수팀
  • 백종범 교수 연구성과 그림 (4)
  • 백종범 교수 연구성과 그림 (1)
  • 교수님 프로필
 

[붙임] 연구결과 개요

연구배경

현재 반도체 재료로 사용되고 있는 실리콘은 고집적화를 통해 성능개선을 향상시켜왔으나, 공정이 미세해질수록 성능의 한계에 부딪혀왔다. 실리콘의 한계를 극복하기 위해 실리콘과 비슷한 성질을 지니는(주기율표에서 같은 족에 속해있는) 탄소기반의 물질들이 주목을 받기 시작하였다. 1970년대 전도성 고분자가 발견된 이후로 탄소기반의 물질들은 반도체 소자로 꾸준한 관심을 받아왔으며, 특히 2004년 그래핀이 발견된 이래로 실리콘보다 뛰어난 고유 성질(그래핀은 현존하는 물질 중에 열과 전기가 가장 잘 통함)로 실리콘을 대체할 물질로 많은 기대감을 불러일으켰다(그림 3). 하지만 그래핀은 띠 간격(band gap)이 없어 금속성을 지니기 때문에 전기적 신호에 의해 전류의 흐름을 통제할 수 없으며, 이러한 성질은 반도체로 응용되기에는 치명적 결함이 된다.

연구내용

본 연구팀은 그래핀이 지니고 있는 단점인 금속성을 보완하기 위해 탄소와 질소로 구성된 새로운 이차원 구조체를 합성하였으며, 이를“C2N Holey Two-Dimensional(C2N-h2D) Crystals”로 명명하였다. 이 구조체는 그래핀과는 달리 규칙적으로 구멍이 뚫려 있고, 각 구멍에 6개의 질소원소가 구멍의 중심을 향해 있는 구조를 하고 있다(그림 4). 또한 이러한 구조체가 실존한다는 것을 주사터널링현미경(STM)을 이용하여 증명하였다(그림 1).

이 구조체는 일정 간격의 구멍과 탄소 외의 또 다른 이종원소(질소)로 인해 그래핀과는 달리 띠간격이 존재하며 간격의 크기는 2.0 eV이다. 또한 점멸비(on/off ratio)가 최고 107까지 구현된다. 지난 40년간 최적화 시켜온 실리콘 반도체의 점멸비가 105인 점을 감안하면, 반도체로서 스위칭 속도가 이미 100배를 능가하고 있다.

기대효과

현재 실리콘을 기반으로 하는 반도체 분야의 성능향상은 한계점에 다다랐다. 본 연구는 현존하는 반도체 소재의 데이터처리 속도의 한계를 극복함은 물론, ‘꿈의 물질’로 불리는 그래핀의 치명적인 결함을 극복할 수 있는 신물질이다. 다양한 응용분야에서 그래핀의 한계를 극복함은 물론, 그래핀보다 훨씬 많은 응용분야가 예상되어 꿈이 현실로 나타날 만한 성과로 여겨진다.

 

[붙임] 연구결과 문답

Q. 이번 성과 뭐가 다른가?

A. 그래핀의 한계를 넘을 수 있는 신물질

Q. 어디에 쓸 수 있나?

A. 반도체 소재, 에너지 변환 및 저장소재, 촉매, 바이오 분야

Q. 실용화까지 필요한 시간은?

A. 3~5년

Q. 실용화를 위한 과제는?

A. 다양한 유도체를 합성하여 각기 특성에 맞는 응용분야 발굴

Q. 연구를 시작한 계기는?

A. 5년 전 그래핀의 가장 중요한 한계를 인식하여, 그래핀의 문제점을 해결하고자 화학반응으로 새로운 구조체 합성시작

Q. 에피소드가 있다면?

A. 그래핀 연구자라면 누구나 같은 생각을 했을 것으로 생각되나, 순수한 출발물질 합성은 우리 연구단이 잘 할 수 있는 장점이 있음

Q. 꼭 이루고 싶은 목표는?

A. 2010년 노벨상을 받은 그래핀을 능가하는 구조체를 함성하여 학계 및 산업계에서도 주목 받는 연구집단으로 성장

Q. 신진연구자를 위한 한 마디

A. 자신감, 열정, 성실이 좋은 연구의 바탕

 

[붙임] 용어설명

NATURE COMMUNICATIONS 誌

자연과학 분야에서 최고의 권위를 인정받고 있는 네이처(NATURE)의 자매지로 자연과학전문지 (인용지수: 10.742)

띠 간격(band gap)

전자가 존재할 수 없는 영역. 물질에 띠 간격이 없으면 금속성을 지니며, 띠 간격이 매우 넓으면 전류가 통하지 않는 절연체의 성질을 지님. 반도체 소자는 띠 간격이 적당해야 전류가 흐르는 것을 통제할 수 있음.

점멸비(on/off ratio)

반도체 소자에 흐르는 전류량의 비. 점멸비가 높을수록 반도체에 흐르는 전류의 양을 효과적으로 제어할 수 있어서 우수한 성능의 반도체를 구현할 수 있음.

주사터널링현미경(STM)

전자의 양자역학적 터널링의 원리를 이용하여 물질 표면의 원자 수준까지 이미지를 얻을 수 있는 장비.

 

[붙임] 그림설명

그림 1. (a) C2N-h2D crystal의 주사터널링현미경(STM) 이미지. (b) 주사터널링현미경 이미지와 화학구조 모식도를 합친 이미지. 주사터널링현미경 이미지와 화학구조 모식도가 정확하게 일치하는 것을 알 수 있다. 그림에서 볼 수 있듯이 C2N-h2D crystal은 규칙적으로 구멍이 뚫려 있고 각 구멍에 6개의 질소원소(하늘색으로 표시된 부분)가 구멍의 중심을 향해 있는 구조를 하고 있다.

그림 2. (a) C2N-h2D Crystal 필름의 원자력간 현미경 이미지; (b) C2N-h2D Crystal 필름이 올라있는 반도체 디바이스 광학현미경 이미지; (c) 반도체 특성 그래프. 그림 2를 통하여 점멸비가 107이라는 것을 확인할 수 있다.

그림 3. 실리콘 반도체를 대체할 탄소기반 반도체로 사용될 수 있는 탄소기반 물질들의 연대표. 전도성 고분자의 발견을 시점으로 여러 구조의 탄소기반 물질들이 발견되어 왔으며, 특히 그래핀의 발견 이후로 탄소기반 물질의 연구는 정점을 향해가고 있다. 하지만 그래핀은 띠 간격이 없기 때문에 금속성을 지니며, 전류의 흐름을 통제할 수 없기 때문에 반도체 소자로 응용되기에는 한계가 있다.

그림 4. 그래핀과 C2N-h2D crystal의 차이점. (a) 그래핀; (b) C2N-h2D crystal. 전부 탄소(회색 구)로 이루어져있는 그래핀과는 달리 본 연구진에서 개발한 C2N-h2D crystal은 규칙적으로 구멍이 뚫려 있고 각 구멍에 6개의 질소원소(하늘색 구)가 구멍의 중심을 향해 있는 구조를 하고 있다.

그림 5. C2N-h2D Crystal의 가능한 첨단 응용 분야.