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“더 작고 빠른 저전력 반도체 나온다”… 차세대 소재 저온 결함 제거 성공
UNIST·POSTECH, 저온 공정으로 차세대 반도체 소재 이황화몰리브덴(MoS2) 결함 제거
BOEL 공정 호환·작고 빠른 저전력 반도체 칩 개발 도움 ... ACS Nano 논문 게재
더 작고 빠른 저전력 칩을 만들 수 있는 반도체 소재의 결함을 제거하는 기술이 개발됐다. UNIST 전기전자공학과 권지민 교수팀은 POSTECH 화학공학과 노용영 교수팀과 공동으로 차세대 반도체 소재인 이황화몰리브덴의 결함을 200℃에서 제거하는 기술을 개발했다고 30일 밝혔다. 손톱만 한 반도체 칩 하... 더보기
전기 덜먹고 발열 줄인 ‘M램’ 메모리 반도체 기술 개발!
UNIST 유정우 교수팀, 저전력으로 M램에 데이터 저장하는 메모리 소자 개발
높은 문턱전류 대신 전압 펄스로 데이터 저장 ... Nat. Commun. 논문 게재
M램 반도체의 전력소모와 발열을 잡을 신개념 메모리 소자가 개발됐다. UNIST(총장 박종래) 신소재공학과 유정우 교수팀은 저전력으로 메모리에 데이터를 저장할 수 있는 M램(자성메모리) 소자 구조를 제안하고 이를 실험적으로 입증해내 국제학술지 네이처 커뮤니케이션에 지난 10일 게재했다. M램은 낸드플래시... 더보기
저밴드갭 페로브스카이트 태양전지 최고효율 달성했다!
UNIST 장성연 교수팀, 주석-납 혼합금속 페로브스카이트에 양자점 접합해
23.74%의 최고효율과 안정성 동시에 높여… Adv. Energy Mater. 게재
페로브스카이트 태양전지 성능을 한층 더 발전시킬 수 있는 기술이 개발됐다. UNIST(총장 이용훈) 에너지화학공학과 장성연 교수팀은 고려대학교 곽상규 교수팀과 공동연구를 통해 주석–납 할로겐화물 페로브스카이트 광활성층과 양자점층을 접합해 태양전지 소자의 효율을 큰 폭으로 개선할 수... 더보기
“반도체 인력 양성, 숫자보다 내용에 집중해야”
[울산MBC/퇴근길 톡톡] 26일 정홍식 반도체 소재·부품 대학원장 인터뷰
정부가 지난 19일(화) ‘반도체 관련 인재 양성 방안’을 발표했다. 향후 10년간 반도체 관련 인재 15만 명을 육성한다는 내용이 핵심이다. 반도체 관련 학과 정원 확대를 통해 4만5,000명을 배출하고, 융합전공 등 정부 재정지원사업의 혜택을 받는 재학생과 재직자 10만5,000... 더보기
UNIST, 미래 양자 기술 이끌 연구소 문 열다!
29일(목) 오후 4시 대학본부 대강당에서 양자 포토닉스 연구소 출범식 개최
양자현상 이용 차세대 소자 개발·상용화 목표 … 31일(토)까지 학술대회도
미래 양자 기술 연구와 차세대 소자 개발을 이끌 전담 연구소가 출범한다. UNIST는 29일(목) 오후 4시 대학본부 2층 대강당에서 ‘양자 포토닉스 연구소(Quantum Photonics Institute, QPI) 개소식’을 개최했다. 연구소는 이날 개소식을 시작으로 31일(토)까지 ‘퀀텀 포토닉스... 더보기
