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6G 테라헤르츠 시대 초고속 양자 터널링 소자 개발
UNIST·아주대, 발열 문제 잡은 저전력 테라헤르츠 양자 터널링 소자 개발
1,000회 안정 구동, 차세대 6G·양자 소자 상용화 앞당길 것 ... ACS Nano 게재
G 통신 등에 필수적인 초고속 작동 능력을 갖춘 양자 소자가 새롭게 개발됐다. UNIST 물리학과 박형렬 교수팀은 아주대 물리학과 이상운 교수팀과 함께 기존 양자 소자가 강한 전기장을 견디지 못하고 녹아버리던 문제를 해결한 새로운 테라헤르츠 양자 소자를 개발했다고 30일 밝혔다. 테라헤르츠 양자 소자는... 더보기
반도체 배선 ‘전기 동맥경화’ 뚫어낼 원료 물질 개발
UNIST 김수현 교수팀, 400℃ 고온에도 안정한 루테늄 배선 원료 물질 개발
고온 ALD 공정으로 배선 품질·공정 속도 모두 잡아... Adv. Sci. 논문 게재
반도체 회로 선폭이 줄어들면서 발생하는 이른바 ‘전기 동맥경화’ 현상을 해결할 물질이 개발됐다. UNIST 신소재공학과 김수현 교수팀은 차세대 반도체 배선 소재인 루테늄의 새로운 원료 물질(전구체)과 이를 적용한 원자층 증착 공정 (atomic layer deposition, ALD)을 개발했다고 18일... 더보기
플라즈마 기반 원자층 정밀 공정 기술로 세계 최고 수준의 고성능 반도체 유전막 개발
UNIST · POSTECH, DRAM 메모리 반도체용 ‘무결점’ 박막 제조 기술 개발
플라즈마의 박막 결함 제거 원리도 규명.. Int. J. Extrem. Manuf. 게재
*본 연구 성과 보도자료는 포항공과대학교 주관으로 작성되었습니다.(바로가기) UNIST 반도체소재부품대학원 김병조 교수와 POSTECH 기계공학과·반도체대학원 안지환 교수 공동 연구팀은 반도체 소자의 성능을 높일 새로운 공정 기술을 개발했다. 스마트폰, 노트북, 슈퍼컴퓨터까지 모든 전자기기에는 데이터를... 더보기
원자 한 층 안에 제대로 섞는다!.. 박막 합금 증착 기술 개발
김수현 교수팀, ALM 기반 정밀 Pt·Ru 합금 박막 증착 기술 개발
반도체 공정, 전기화학 촉매, 센서 등 응용 가능… Adv. Sci. 논문 게재
서로 다른 금속을 원자 한 층 안에서 고르게 섞는 증착 기술이 개발됐다. 반도체 공정과 전기화학 촉매 등 다양한 분야에 쓸 수 있을 것으로 기대된다. 신소재공학과 김수현 교수팀(반도체소재·부품대학원 겸직)은 원자층 증착 (ALD, atomic layer deposition)을 개량한 원자층 변조법(ALM... 더보기
