자기메모리 | UNIST News Center

반도체 한계 넘는 제3의 자성 소재 신호 제어 가능성 규명

UNIST , 교자성 산화루테늄 소재에서 가역적 스핀 신호 변환 성공

초고속·초저전력 스핀트로닉스 반도체 응용 ... Nano Letters 게재

국내 연구진이 교자성체 소재 안에서 스핀의 정렬된 방향을 바꿔 변환 신호 방향을 뒤집는 데 성공했다. 복잡한 구조나 강한 자기장 없이도 전류를 스위칭할 수 있는 저전력 스핀 반도체 소자 개발의 물꼬를 텄다는 평가다. UNIST 신소재공학과 유정우 교수와 물리학과 손창희 교수팀은 산화루테늄 교자성 소재 안... 더보기

2025.12.20By 양 윤정연구

나노 자성체 내 블랙홀, “블로흐 점(Bloch point)” 발견

이기석 신소재공학부 교수팀, 미래 반도체 기술의 핵심 구조, 블로흐 점 형성 방법 제시

블로흐 점 동역학 세계 최초 관측… Nature communications 논문 게재

나노 자성체에서 나타나는 특이점, '블로흐 점'을 안정적으로 형성하고 관측한 UNIST 연구진_왼쪽부터 이기석 교수와 한희성 연구원. | 사진: 김경채

우주 블랙홀 중심에 가면 모든 것이 사라진다. 우리가 아는 중력의 기준을 넘어서는 ‘특이점(Singularity)’이 있기 때문이다. 나노 세계에서도 이런 특이점을 찾을 수 있는데, 자성체(Magnetic Material) 내부에 존재할 수 있는 ‘블로흐 점(Bloch point)’이다. 블로흐 점에서는... 더보기

2019.03.06By 박태진연구